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2017-10-24 推文至Plurk 推文至Twitter 推文至Facebook

半導體產研專班學生國際會議發表論文!---

亞大7位研究生,在EDSSC國際會議發表6篇論文,許健教授也在此國際會議擔任主講人。

圖說:2017國際電子元件及固態電路會議在清華大學登場,亞大半導體產研專班負責人許健教授擔任主講人。

亞洲大學(Asia University, Taiwan)半導體產研專班,來自印度、尼泊爾、印尼4位碩士生,還有3位北京大學軟件與微電子學院-集成電路工程系碩士生,10月18日至20日參加台灣清華大學舉辦的EDSSC國際會議,一共發表6篇論文,亞洲大學半導體產研專班負責人許健教授也被邀請擔任此次國際會議主講人。

值得一提的是,許健教授還與半導體界頗具盛名的國際大師,也是 flash memory發明人施敏博士同台擔任主講人,施敏博士的發明是貝爾實驗室在歷史上第二重大的成就,僅次於電晶體現象的發現,也是後來隨身碟的起源;施教授目前在台灣交通大學擔任榮譽講座教授、中研院院士,他主講:「從貝爾實驗室的發展史到他發明的 FGM (Floating Gate Memory) 浮動閘極存儲器」;另一主講人是台灣記憶器大廠鈺創電子董事長盧超群主講:未來記憶器之展望。

許健教授指出,電機電子工程師學會 主辦的國際電子元件及固態電路會議(2017 IEEE Electron Devices and Solid-State Circuits)是重要 I 級會議,是半導體的年度盛會,邀請來自美國、日本、歐洲、印度、韓國及中國共計300多人參加,共發表300 篇論文,亞大半導體產研專班的研究生就有6篇論文投稿,全部被接受,表現亮眼。

圖說:亞大半導體產研專班7位研究生,在EDSSC國際會議中發表6篇論文,在清華大學校園中合影。

許健以「半導體元件設計與模擬」為題演講,他指出,當摩爾定律逐漸走到盡頭,產業界將必須考慮如何轉型到 "超越摩爾定律" 的產業方向;超越摩爾可以將數位、類比、功率、高壓及傳感器,利用現有的摩爾技術整合,可以增加價值、降低功耗、增加功能、減少面積、改善可靠度及減少重量等優點;如今產業轉型最大的困難是,研發"超越摩爾定律" 必須要在研究發展的方法進行典範轉移,要將元件物理、技術模擬及產研合作結合,否則研發效果及時間無法具競爭力。他呼籲台灣要盡速加強 "超越摩爾定律" 的產學合作研發,同時加強元件物理及技術模擬的教學工作。

至於半導體產研專班碩士生印尼Adhi Cahyo Wijaya發表利用蒙地卡羅數學方法能較精準預測及設計高功率及高壓元件,他發現用傳統的托拉斯方法有較大誤差;印度女學生Monika bharti及 Pooja deshmane也用「蒙特卡羅」方式,發現可以較精準的模擬出矽生產的數據;尼泊爾籍的Suman 發表超高壓元件之 UIS 設計技術。

此外,大陸北京大學台灣籍研究實習生楊明哲發表他申請專利的“利用控制閘的高壓場效電晶體”;北大實習生李穎華發表他申請專利的”超高壓 LDMOS 元件的自我保護靜電防護之元件設計“;北大實習生黃景怡發表他申請專利的 “ 1200V LDMOS 元件設計"。

圖說:2017國際電子元件及固態電路會議在清華大學登場,亞大半導體產研專班負責人許健教授(左)與半導體界頗具盛名的國際大師施敏博士同台擔任主講人。

圖說: 亞大半導體產研專班負責人許健教授(左五)、研究生與半導體界頗具盛名的國際大師施敏博士(左四)合影。

圖說:2017國際電子元件及固態電路會議在清華大學登場,亞大半導體產研專班印度籍研究生Nevez發表論文。

 
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